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Memoria PCRAM, PCM, PRAM - Definición, Concepto y Qué es

Concebida como sustituto natural a las tecnologías existentes de memoria no-volátil que emplean los actuales dispositivos móviles, estas memorias están basadas en la tecnología de cristales en vez de en la del silicio.

Cuestión de siglas

La memoria de cambio de fase, conocida por sus siglas inglesas PCRAM o PRAM (Phase-Change Random Access Memory) o, también, muy comunmente por PCM (Phase Change Memory), responde también a otras denominaciones: OUM (Ovonic Unified Memory), CRAM o C-RAM (Calcogenic RAM).

Es una memoria basada en cristales calcógenos, que son los que cambian de forma cuando se les aplica calor. Al cambiar de forma, también cambia la resistencia eléctrica que presentan estos mismos cristales, pudiendo entonces determinar, en función de esta resistencia, estados correspondientes a cero y uno, que son los que utiliza la lógica binaria que permite trabajar a los dispositivos electrónicos.

En el estado amorfo, la resistencia es mayor, y representa el estado cero, mientras que en el estado cristalino la resistencia es menor y representa el estado binario uno.

Este cambio de estado se realiza con mayor rapidez que en los dispositivos basados en tecnología de silicio, sobretodo cuando hablamos de la escritura, una operación habitualmente más lenta que la lectura, que también es más rápida que en las memorias basadas en silicio.

Esta tecnología es similar a la que encontramos en los discos de CD y DVD, y aunque en estos casos el material base utilizado es el mismo, lo que se manipula en el caso de estos discos son las propiedades ópticas, y no la resistencia eléctrica.

Otra cualidad que presentan estas memorias es que su vida operativa es más larga que la de las memorias tradicionales de silicio.

Esperanzas de futuro

Actualmente, el rendimiento que ofrecen los dispositivos de almacenamiento basados en memoria PRAM es comparable e incluso inferior a los de otras tecnologías como la flash, pero el límite superior al que se calcula pueden llegar es mucho mayor, y es una tecnología que justo ahora se está empezando a implementar.

Además, todos sabemos como le gusta a la industria tecnológica exprimir las tecnologías existentes antes de aventurarse a lanzar al mercado otras nuevas, por lo que para la popularización de la CRAM todavía le queda tiempo.

Los dispositivos con memorias de tipo OUM serán muy rápidos especialmente en operaciones de escritura, por lo que el futuro más inmediato de este tipo de soluciones se espera en el campo de los sistemas de alto rendimiento, como servidores, gaming, y dispositivos móviles de gama alta.

Fotos: iStock - Reptile8488 / J-Roman

 
 
 
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